今回のパートナーシップへの合意は、三菱電機とNexperia B.V.（ネクスペリア 以下、Nexperia社）との間で行われたものだ。三菱電機は、化合物半導体技術などを適用したSiC-MOSFET※チップをNexperia社向けに開発・供給。そして、Nexperia社は、三菱電機のSiCチップを搭載したSiCディスクリート製品を開発するという。


SiCパワー半導体は、従来のシリコンウエハを用いたパワー半導体に比べて低電力損失で、高温動作や高速スイッチング動作が可能となる。そのため、省エネルギーや脱炭素化によるGX実現への貢献が期待されており、EV分野などで市場の急拡大が見込まれている。

なお、三菱電機は、今後Nexperia社とのパートナーシップをより強固なものにし、脱炭素社会と持続可能な未来の実現に貢献していくという。また、高性能で高品質なSiCチップの開発・製造技術をさらに高め、独自のモジュール開発・製造技術を適用したパワーモジュールの開発に注力していくと述べている。

▼関係者のコメント
■Nexperia社 バイポーラ ディスクリート ビジネスグループ ゼネラルマネージャー 兼 シニア バイス プレジデント Mark Roeloffzen氏の　コメント
三菱電機との戦略的パートナーシップは、Nexperia社のSiC事業において大きな進歩です。三菱電機は、SiCパワーモジュールのプロバイダーとして数多くの実績があり、Nexperia社のディスクリート半導体に関する実績ある専門技術と組み合わせることで、両社の強みによる相乗効果が生まれ、顧客に大きなメリットをもたらします。

■三菱電機 上席執行役員（半導体・デバイス事業本部長）竹見政義氏のコメント
Nexperia社は、高品質のディスクリート半導体において実績ある先端技術を有する業界のリーディングカンパニーです。私たちは、両社の半導体技術を活かした共同開発のためのパートナーシップに合意できたことを喜ばしく思っております。

（出典：三菱電機 Webサイトより）